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厂商型号

MRFE6S9200HR3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-880 T/R

内部编号

146-MRFE6S9200HR3

#1

数量:1021
1+¥1052.8882
25+¥977.6874
100+¥937.5444
500+¥900.4833
1000+¥855.4862
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MRFE6S9200HR3产品详细规格

规格书 MRFE6S9200HR3 datasheet 规格书
MRFE6S9200HR3 datasheet 规格书
文档 RF Devices 28/Jun/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 880MHz
增益 21dB
电压 - 测试 28V
额定电流 10µA
噪声系数 -
电流 - 测试 1.4A
Power - 输出功率 58W
电压 - 额定 66V
包/盒 NI-880
供应商器件封装 NI-880
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3NI-880
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 66 V
最大门源电压 -0.5|12 V
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Screw
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 NI-880
标准包装名称 NI-880
最大频率 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 225
输出功率 58
Typical Drain Efficiency 35
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 21
每个芯片的元件数 1
典型输入电容@ VDS 557.27@28V
最低工作温度 -65
最大漏源电压 66
引脚数 3
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 66V
供应商设备封装 NI-880
电压 - 测试 28V
频率 880MHz
增益 21dB
封装/外壳 NI-880
电流 - 测试 1.4A
额定电流 10µA
功率 - 输出 58W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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